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diodo di barriera di 3A Schottky, diodo Schottky del carburo di silicio 3B per rettifica di potere basso

Informazioni di base
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: CANYI
Certificazione: RoHS
Numero di modello: RB461F
Quantità di ordine minimo: bimettalico
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: Trasferimento telegrafico in anticipo (TT di avanzamento, T/T)
Capacità di alimentazione: 15,000,000pcs al giorno
Informazioni dettagliate
Case: Plastica modellata Applicazione: rettifica di potere basso
Pacchetto: SOT-323 Tipo di confezione: Diodo di SMD
Tensione inversa: 20V Materiale: silicio
Evidenziare:

diodo Schottky veloce

,

diodo Schottky di potere


Descrizione di prodotto

diodo di barriera del diodo Schottky 3A schottky del carburo di silicio 3B per rettifica di potere basso

 

la costruzione del diodo Schottky del carburo di silicio è piallatrice epitassiale del silicio

Caratteristiche del diodo di barriera di Schottky:

  1. Segnando 3B, ha un piccolo tipo della muffa
  2. Tensione di andata bassa, VF=0.94V, IF=700mA
  3. È alta qualità con l'alta affidabilità
  4. A bassa potenza, con i dispositivi a corrente forte e ultra ad alta velocità a semiconduttore
  5. Tempo di recupero inverso estremamente breve

Applicazione del diodo di barriera di Schottky:

  1. potrebbe essere utilizzata nella rettifica di potere basso
  2. Alimentazioni elettriche ad alta frequenza di commutazione
  3. Caricabatteria del veicolo elettrico

dimensione del diodo di barriera di schottky:

diodo di barriera di 3A Schottky, diodo Schottky del carburo di silicio 3B per rettifica di potere basso 0

 

Valutazioni massime assolute (TA=25℃)

 

Parametro simbolo limiti unità
Tensione inversa (ripetitiva) VRM 25 V
Tensione inversa (CC) VR 20 V
La media ha rettificato in avanti IO 0,7 A
Picco di andata dell'impulso corrente (60Hz·“1cyc) IFSM 3 A
Temperatura di giunzione TJ 125
Temperatura di stoccaggio Stgdi T -40~+125

 

Caratteristiche elettriche (Ta=25℃)

Parametro simbolo Min. Tipo. Massimo. unità circostanze
Tensione di andata VF - - 0,49 V IF =700MA
Corrente inversa IR - - 200 μA VR =20V

 

 

Dettagli dell'imballaggio.

diodo di barriera di 3A Schottky, diodo Schottky del carburo di silicio 3B per rettifica di potere basso 1

Diodo di barriera di Schottky 1N5817-1N5819, SR120-140-160-180-SR1100, SR220-240-260-SR280, SR3150/SR3200, SR340L, SR5100L ......
Diodo di raddrizzatore a corrente forte 1N4001, 1N4004, 1N4007, RL201-RL205-RL207, 1N5400-5404-1N5408, 10A05-10A08-10A10 ......
Diodo veloce di recupero FR104-FR107, 1N4933-1N4937, FR201-204-207-208, FR301-FR304-FR307 ......
Diodo di alta efficienza HER104-HER108, HER201-204-205-207-HER208, HER601-606-HER608, HER501-503-505-506-HER508 ......
Diodo di commutazione veloce 1N4148, 1N4148-T4, LL4148 ......
Raddrizzatore a ponte di Schottky MB6S-10S, MB6F-10F, MB16F-110F, MB6M-10M, ABS6-ABS10, DB101-DB107S, DB201-DB207S, KBP206-KBP210, KBP307 ......
Diodo di raddrizzatore ultraveloce di recupero UF203 UF204 UF206 UF207, UF4001-UF4004-UF4007, UF5400-UF5401-UF5404-UF5408, SF21-24-26-SF28 ......

 

Il nostro controllo di qualità rigoroso:

 

1. Il nostro regolatore di qualità ha lavoro nella nostra fabbrica per più di 10 anni, molto expericed.

 

2. Proveremo l'ogni prodotto, ogni accessorio prima della spedizione, per assicurarci la sua alta qualità.

 

3. Imballeremo bene il carico per assicurarci le merci nel buon stato durante la consegna.

 

  • L'ordine del ODM e dell'OEM è benvenuto! Forniamo i prodotti su misura e l'imballaggio secondo la vostra progettazione del materiale illustrativo per soddisfare le vostre richieste speciali.

 

diodo di barriera di 3A Schottky, diodo Schottky del carburo di silicio 3B per rettifica di potere basso 2

Dettagli di contatto
Peng

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